3 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT

Number modelo:F3L75R12W1H3_B27
Lugar de origem:Alemanha
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Termos do pagamento:L/C, T/T
Capacidade da fonte:500 PCS+48hours
Prazo de entrega:48hours
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 4513, bloco C, construção de CEIEC, Huaqiang Rd norte, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China 518031
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F3L75R12W1H3_B27        SP001056132     Infineon   BAIXA POTÊNCIA do módulo de IGBT FÁCIL

F3L75R12W1H3B27BOMA1

 

 

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuraço: Inversor da 3-fase
tenso máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,2 quilovolts
tenso de saturaço do Coletor-emissor: 1,45 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 45 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipaço do Paládio-poder: 275 W
Pacote/caixa: EasyPack1B
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Tenso máxima da porta/emissor: 20 V
Série: IGBT de alta velocidade H3
Quantidade de embalagem: 24 PCS
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si

 

 

China 3 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT supplier

3 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT

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