Memória Flash WSON-8 S25FS512SAGNFB010 de 512 Mbit IC SPI 133 megahertz

Number modelo:S25FS512SAGNFB010
Lugar de origem:Alemanha
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Termos do pagamento:L/C, T/T
Capacidade da fonte:3380 PCS+48hours
Prazo de entrega:48hours
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço: Sala 4513, bloco C, construção de CEIEC, Huaqiang Rd norte, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China 518031
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Detalhes do produto

 

S25FS512SAGNFB010     Infineon    NEM instantneo nem AEC-Q100 WSON-8

 

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: NEM instantneo
Estilo da instalaço: SMD/SMT
Pacote/caixa: WSON-8
Série: S25FS512S
Capacidade de armazenamento: 512 Mbit
Tenso de fonte - minuto: 1,7 V
Tenso de fonte - máxima: 2 V
Atual lido ativo (máximo): 100 miliampères
Tipo de relaço: SPI
Frequência de pulso de disparo máxima: 133 megahertz
Organizaço: 64M x 8
Largura do ônibus de dados: bocado 8
Tipo cronometrando: Síncrono
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 105 C
Qualificaço: AEC-Q100
Pacote: Bandeja
Estrutura: MirrorBit
Tipo do armazenamento: NEM
Sensibilidade da umidade: Sim
Velocidade: 133MHz
Padro: Relaço instantnea comum (CFI)
Quantidade de embalagem: 676 PCS
Subcategoria: Armazenamento de dados da memória &

 

 

S25FS512SAGNFI010

S25FS512SAGNFV010

S25FS512SAGNFM010

S25FS512SAGNFA010

S25FS512SAGNFV011

S25FS512SAGNFI011

S25FS512SAGNFA013
S25FS512SAGNFV013
S25FS512SAGNFI013

 

 

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Memória Flash WSON-8 S25FS512SAGNFB010 de 512 Mbit IC SPI 133 megahertz

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