DMN26D0UFB4-7 Diodos Mosfet Enhance Mode Mosfet 20V N-Chan X2-DFN1006

DMN26D0UFB4-7 Diodos MOSFET MODO ENHANCE MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006

DMN26D0UFB4-7B

Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de instalaço: SMD/SMT
Embalagem/caixa: X2-DFN1006-3
Polaridade do transistor: canal N
Número de canais: 1
Voltagem de ruptura da fonte de descarga VDS: 20 V
Id. Corrente de escoamento contínua: 240 mA
Rds Resistência da fonte de descarga: 3 Ohms
Vgs - tenso da fonte da porta: - 12 V, + 12 V
Vgs tenso de limiar da fonte da porta: 600 mV
Carga Qg-gate: -
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Dissipaço de potência Pd: 350 mW
Modo de canal: Reforço
Série: DMN26
Embalagem: bobina
Configuraço: Único
Tempo de queda: 15,2 ns
Transcondutividade para a frente - mínimo: 180 mS
Tempo de elevaço: 7,9 ns
Quantidade de embalagem: 3000 PCS
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo típico de atraso de desligamento: 13,4 ns
Tempo típico de atraso: 3,8 ns
1 mg

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