Desempenho de comutação excelente de alta qualidade da dissipação de baixa potência da eletrônica de poder do MOSFET de IRF1407STRLPBF

Desempenho de comutaço excelente de alta qualidade da dissipaço de baixa potência da eletrônica de poder do MOSFET de IRF1407STRLPBF

Características do produto:

• Baixa em-resistência
• Capacidade atual máxima alta
• Baixa carga da porta
• Alta tenso da diviso
• Baixa capacidade de entrada e de saída
• Velocidade de comutaço rápida
• Ultra-baixa tenso do ponto inicial
• RoHS complacente
• AEC-Q101 qualificou

Especificações técnicas:

• Tipo do transistor: MOSFET
• Drene tenso da fonte (Vds): 60V
• Porta tenso da fonte (Vgs): ±20V
• Drene a corrente (identificaço): 6A
• Corrente contínua do dreno (identificaço): 2.5A
• Em-resistência (Rdson): 0,07 Ω
• Dissipaço de poder (paládio): 4.2W
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C

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