Módulo rápido de alta tensão do interruptor IGBT da eletrônica de poder do MOSFET SIHF12N50CE3

Nome do produto: SIHF12N50CE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Descriço: N-canal 500V (D-S) 175·MOSFET DE C
Tipo do pacote: TO-263-3 (D2PAK)
RoHS complacente: Sim
Tenso máxima da Dreno-fonte (VDS): corrente contínua do dreno 500VMaximum (identificaço): 12A
Dissipaço de poder máxima: 90W
Tenso da Porta-fonte (VGS) 30V
Tenso do ponto inicial (VGSth) 2.5V (tipo.)
Resistência do Em-estado da Dreno-fonte (RDS (sobre)): (tipo.) variaço da temperatura 0.39Q de funcionamento: -55°C a +175°C
Características:
Carga rápida da porta do switchingLow
Baixa resistência da porta
A energia da avalancha avaliou
capacidade lmproved de dv/dt
a avalancha 100% testou
RoHS complacente
Aplicações:
Fontes de alimentaço de comutaço
Correço de fator de poder
Conversores de DC-DC
Movimentações do motor
Iluminando reatores

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