Transistor da eletrônica de poder do MOSFET de IRFR1018ETRPBF para as aplicações de comutação de grande eficacia

Está aqui uma lista de descrições do produto para o transistor do MOSFET do poder de IRFR1018ETRPBF:

1. Interruptor de grande eficacia: Este transistor do MOSFET é projetado para o uso nas aplicações de comutaço de grande eficacia, fazendo o ideal para o uso em fontes de alimentaço e em outros dispositivos eletrónicos.
2. Baixo RDS (sobre): Com uma baixa em-resistência (RDS (sobre)) apenas de 10mOhms, este transistor oferece a baixas perdas e eficiência elevada da conduço.
3. Projeto robusto: O IRFR1018ETRPBF caracteriza um projeto áspero, seguro que seja capaz de suportar níveis elevados de esforço elétrico e térmico.
4. Velocidade de comutaço rápida: A velocidade de comutaço rápida deste transistor assegura-se de que possa responder rapidamente s mudanças nos sinais de entrada, fazendo a ideal para o uso nas aplicações que exigem o interruptor rápido.
5. Pacote de superfície da montagem: Este transistor é abrigado em um pacote de superfície da montagem, fazendo o fácil integrar em uma variedade de projetos eletrônicos.
6. Baixa carga da porta: Com uma baixa carga da porta apenas de 27nC, este transistor pode ser conduzido facilmente por uma escala de circuitos de movimentaço da porta.
7. Escala de alta temperatura: O IRFR1018ETRPBF pode operar-se em temperaturas até 175°C, fazendo a apropriada para o uso em ambientes de alta temperatura.
8. Sem chumbo e RoHS complacentes: Este transistor é sem chumbo e RoHS complacente, fazendo o a favor do meio ambiente e seguro usar-se em uma variedade de aplicações.

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