Ponto baixo do poder superior do MOSFET de IXTQ130N10T na resistência e baixa tensão do ponto inicial da porta para o desempenho ótimo

Poder superior do MOSFET de IXTQ130N10T

Baixo na resistência e na baixa tenso do ponto inicial da porta para o desempenho ótimo

Características do produto:

- MOSFET do N-canal
- Tenso: 100V
- RDS (sobre): 0,01 ohms
- Identificaço: 130A
- Pacote: TO-247

Descriço do produto:

O IXYS IXTQ130N10T é um MOSFET do N-canal com uma tenso máxima da fonte do dreno de 100V e uma corrente máxima do dreno de 130A. Este dispositivo oferece um baixo RDS (sobre) de 0,01 ohms e é abrigado em um pacote TO-247. É projetado para o uso em várias aplicações tais como o controlo do motor, a gesto do poder, e as outras aplicações da fonte de alimentaço.

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