Ponto baixo de alta tensão da eficiência elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRF3703PBF na resistência

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Eletrônica de poder do MOSFET do IRF 3703 PBF

Ponto baixo de alta tenso da eficiência elevada na resistência

 

 

O IRF3703PBF é um elevado desempenho, baixa em-resistência, MOSFET do N-canal do retificador internacional. Utiliza a listra planar avançada a mais atrasada e a tecnologia de DMOS para fornecer o RDS melhorado (sobre). Este dispositivo é apropriado para o uso em pedidos de comutaço, em particular para o baixo interruptor lateral, onde o interruptor rápido e a baixa movimentaço da porta so exigidos.

 

 

Características:

 

• Baixa em-resistência: RDS (sobre) = 0.08Ω

• Listra planar avançada e tecnologia de DMOS

• Baixa movimentaço da porta: VGS (th) = 3V

• Interruptor de alta frequência

• Apropriado para baixas aplicações de comutaço laterais

• Pb-livre, pacote complacente de RoHS

• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C

 

 

 

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