IRFP2907PBF MOSFET de canal N de alto desempenho para aplicações de eletrônica de potência

IRFP2907PBF MOSFET de canal N de alto desempenho para aplicações de eletrônica de potência

MOSFET IRFP2907PBF

Este MOSFET é um MOSFET de canal N de alta potência e baixa tenso com uma tenso dreno-fonte de 100 V e uma corrente dreno de 19 A.Ele tem uma velocidade de comutaço rápida e uma baixa tenso de limiar de porta-fonte.Ele também possui boa estabilidade térmica, excelente desempenho de frequência e um pacote robusto.Este MOSFET é adequado para aplicações de alta potência, como comutaço de energia, amplificadores de áudio e controle de motores.

Parmetros:
- Tenso da Fonte de Dreno: 100V
- Corrente de Drenagem: 19A
- Velocidade de comutaço: rápida
- Tenso limite da fonte do porto: baixa
- Estabilidade Térmica: Boa
- Desempenho de frequência: excelente
- Pacote: Robusto

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