Em-resistência do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRFD110PBF baixa e interruptor rápido

Em-resistência do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRFD110PBF baixa e interruptor rápido

Parmetros do produtodo MOSFET de IRFD 110PBF: Tipo: MOSFET Vdss do N-canal (máximo): Identificaçode 100V (máxima): 11um RDS (sobre) (máximo): 0,14 @Vgs de Ω = 10V Vgs (th) (máximo): 2,3 @Id de V = pacotede 250μA: TO-220FP caracteriza: Baixa carga da porta, baixa em-resistência, e interruptor rápido

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