Transistor de poder do MOSFET de IRFP4868PBF - bom desempenho do poder superior

Number modelo:IRFP4868PBF
Lugar de origem:Multi-origem
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Capacidade da fonte:99999
Prazo de entrega:1-7days
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Shenzhen China
Endereço: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Descriço do produto:

 

Este é um MOSFET do N-canal fabricado pelo retificador internacional. É um MOSFET do poder com uma tenso máxima da fonte do dreno de 100V e uma corrente máxima do dreno de 69A. Tem uma fonte do dreno na resistência de 0.0076ohms e em uma corrente pulsada máxima do dreno de 230A. Pode operar-se em uma variaço da temperatura de -55°C a 175°C.

 

Especificações de produto:


- Drene a tenso da fonte: 100V
- Drene atual: 69A
- Drene a fonte na resistência: 0.0076ohms
- Máximos pulsados drenam atual: 230A
- Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C

 

 

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Transistor de poder do MOSFET de IRFP4868PBF - bom desempenho do poder superior

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