Eletrônica de poder do MOSFET de IRFH5210TRPBF - elevado desempenho e durabilidade

Produto: MOSFET DE IRFH5210TRPBF

Descriço: Este MOSFET é um MOSFET de alta tenso do N-canal que caracteriza o baixo RDS (sobre), o interruptor rápido, e a baixa carga da porta. É projetado suportar de alta tenso, aplicações altamente atuais, e de alta temperatura.

Parmetros:

- Tenso da Dreno-fonte (VDS): 100V

- Drene a corrente (identificaço): 110A

- RDS (sobre): 0,0075 ohms

- Tenso da Porta-fonte (VGS): ±20V

- Carga total da porta (Qg): 17nC

- Capacidade entrada (Ciss): 7400pF@VDS =25V

- Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C

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