Ponto baixo da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRL8113PBF no interruptor da resistência

Poder do MOSFET da IRL 8113 PBF

Ponto baixo da baixa tenso do elevado desempenho da eletrônica no interruptor da resistência

IRL8113PBF é um MOSFET projetado para aplicações de comutaço do poder eficiente e seguro. É aperfeiçoado para a baixa em-resistência e a baixa carga da porta, fazendo a apropriada para uma vasta gama de aplicações.

Parmetros:

• Tenso da Dreno-fonte: 100V

• Corrente contínua do dreno: 10A

• Em-resistência da Dreno-fonte: 0.090Ω

• Carga da porta: 12nC

• Capacidade entrada: 700pF

• Temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C

• Montando o tipo: Através do furo

• Pacote/caso: TO-264-3

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