Elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET SI2301CDS-T1-GE3 e solução durável para aplicações do poder

Elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET SI2301CDS-T1-GE3 e soluço durável para aplicações do poder

MOSFET do N-canal de Vishay SI2301CDS-T1-GE3, 30V, 3.2A, 3,2 ohms, 8-Pin SOT-23

Características do produto:
- Ideal do pacote do perfil baixo para aplicações do alto densidade
- A solda de alta temperatura garantiu: 260 °C/10 s em terminais
- ESD-protegido: HBM ESD > 2000 V; CDM ESD > 1000 V
- Baixo RDS (sobre) para a eficiência elevada
- Interruptor de alta velocidade para o desempenho excelente
- Baixa carga da porta para reduzido comutar perdas
- Caracterizou inteiramente a tenso e a corrente de avalancha

Especificações de produto:
- Polaridade: N-canal
- Tenso: 30V
- Atual: 3.2A
- Resistência do Em-estado: 3,2 ohms
- Número de pinos: 8-Pin SOT-23
- Tipo do pacote: SOT-23

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