Eletrônica de poder 50V máximo do MOSFET de IRFH5210TRPBF 200A RDS (sobre) 0.0062Ω

Descriço do produto:

O MOSFET de IRFB20N50KPBF é um MOSFET de baixa voltagem, de alta velocidade do poder com uma tenso de diviso de 500V. Tem uma baixa em-resistência do mΩ 20 e uma tenso da dreno-fonte de 500V. Caracteriza a dissipaço de poder superior, a baixa carga da porta, e a baixa capacidade. O MOSFET é apropriado para o uso em aplicações de comutaço.

Características:

• Tenso de diviso: 500V
• Tenso da Dreno-fonte: 500V
• Tenso da Porta-fonte: ± 20V
• Em-resistência (RDS): mΩ 20
• Corrente máxima do dreno: 7.8A
• Dissipaço de poder (paládio): 8.3W
• Baixa carga da porta
• Baixa capacidade
• Apropriado para o uso em aplicações de comutaço

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