Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET de IPB107N20N3G para a eficiência e a confiança máximas

Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET de IPB107N20N3G para a eficiência e a confiança máximas

Características:
• Baixa Em-resistência
• Baixa carga da porta
• Baixo ponto inicial
• Facilidade da paralelizaço
• Avalancha avaliada

Pacote: TO-220AB

Avaliações máximas absolutas:
• Tenso da Dreno-fonte (VDS): 200 V
• Tenso da Porta-fonte (VGS): ± 20 V
• Drene a corrente (identificaço): 107 A
• Drene a dissipaço de poder (paládio): 110 W
• Variaço da temperatura do funcionamento e do armazenamento: -55°C a +150°C

Características elétricas:
• Em-resistência (RDS (SOBRE)): 0,07 Ω
• Tenso do ponto inicial da porta (VGS (th)): 2 V
• Corrente do escapamento da Porta-fonte (IGSS): µA do ± 10
• Carga da porta (QG): 15 nC
• Capacidade entrada (Ciss): 1850 PF
• Capacidade de saída (Coss): 330 PF
• Capacidade reversa de transferência (Crss): 40

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