Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET da eletrônica de poder do MOSFET de IRLR3114ZTRPBF para o interruptor e a eficiência seguros

Lista do produto:

MOSFET DE IRLR3114ZTRPBF

Parmetros:

• Tenso da Dreno-fonte (Vdss): 30V
• Tenso da Porta-fonte (Vgs): ±20V
• Drene a corrente (identificaço): 5.4A (Tc=25°C)
• Corrente contínua do dreno (identificaço): 4.4A (Tc=100°C)
• RDS (sobre): 0.076Ω (Vgs=10V)
• Dissipaço de poder máxima (paládio): 11W (Tc=25°C)
• Temperatura de funcionamento: -55°C a +175°C
• Montando o tipo: Através do furo

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