Transistor de baixa voltagem da eficiência elevada de alta potência da eletrônica de poder do MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

Este transistor do MOSFET IPD60R180P7SAUMA1 de Infineon é um MOSFET do poder do N-canal

projetado para o uso na correço síncrono de grande eficacia e em aplicações de comutaço de alta tenso. Este MOSFET tem um RDS (sobre) de 0.0015Ω, de uma identificaço de 60A e de uma avaliaço da energia da avalancha de 8mJ.

Características chaves:

• MOSFET do poder do N-canal
• RDS (sobre) de 0.0015Ω
• Identificaço de 60A
• Avaliaço da energia da avalancha de 8mJ
• RoHS complacente
• Pb-livre

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