Eletrônica de poder do MOSFET de BSZ0909NS Transistor de interruptor de grande eficacia do elevado desempenho

Number modelo:BSZ0909NS
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Transistor de interruptor de grande eficacia do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de BSZ0909NS

 

 

Características:

- MOSFET do N-canal
- Tenso: 100V
- Drene atual: 6A
- RDS (sobre): 0.36ohm
- Pacote: TO-252
- Dissipaço de poder máxima: 2.1W
- Temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C

 

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Eletrônica de poder do MOSFET de BSZ0909NS Transistor de interruptor de grande eficacia do elevado desempenho

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