Ponto baixo da eficiência elevada do poder superior do transistor de poder do MOSFET SPW24N60C3 na resistência

Poder do MOSFETde SPW 24N60C3

Ponto baixo da eficiência elevada do poder superior do transistor na resistência

Parmetros:

- Drene a tenso da fonte (VDS): 600V
- Drene a corrente (identificaço): 24A
- Tenso de fonte de porta (VGS): ±20V
- Dissipaço de poder (paládio): 150W
- RDS (SOBRE): 0.077Ω
- Temperatura de junço máxima (Tj): 150°C
- Polaridade do transistor: N-canal
- Montando o tipo: Através do furo

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