Interruptor da eficiência elevada de Vce do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET SIR466DP-T1-GE3 baixo (se sentou)

Interruptor da eficiência elevada de Vce do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET SIR466DP-T1-GE3 baixo (se sentou)

Descriço: O MOSFET SIR466DP-T1-GE3 é um MOSFET de alta tenso do N-canal projetado fornecer a eficiência máxima em uma vasta gama de aplicações. Caracteriza uma baixa em-resistência de 4,0 ohms, uma baixa carga da porta de 8,7 nC, e uma capacidade de manipulaço atual alta de 30A. O pacote largo do corpo fornece o desempenho e a confiança térmicos melhorados.

Características:
- Baixa Em-resistência: 4,0 ohms
- Baixa carga da porta: 8,7 nC
- Manipulaço atual alta: 30A
- Pacote largo do corpo para o desempenho e a confiança térmicos melhorados

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