Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET da eletrônica de poder do MOSFET de IRLR3410TRLP para o desempenho superior

Lista do produto:

MOSFET DE IRLR3410TRLPBF

Características:

• Baixa em-resistência da dreno-fonte
• Ultra-baixa carga da porta
• tenso da dreno-fonte 100V
• tenso da porta-fonte 10V
• Baixa capacidade de saída da porta
• RoHS complacente
• pacote Pb-livre

Especificações:

• Tenso da Dreno-fonte: 100V
• Tenso da Porta-fonte: 10V
• Drene atual (contínuo): 34A
• Drene atual (pulsado): 68A
• Em-resistência da Dreno-fonte: 4.8mΩ
• Escapamento da Porta-fonte: 10nA
• Escapamento do Porta-dreno: 10nA
• Transcondutncia dianteira: 12.7S
• Capacidade entrada: 47pF
• Capacidade de saída: 11pF
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C
• Pacote: TO-252

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