Soluções de comutação do poder do elevado desempenho da eficiência elevada da eletrônica de poder do MOSFET SIRA20DP-T1-RE3

Eletrônica de poder do MOSFET SIRA20DP-T1-RE3

Soluções de comutaço do poder do elevado desempenho da eficiência elevada

Descriço:

Este MOSFET do modo do realce do N-canal é um transistor de alta velocidade, de baixa voltagem com características de comutaço excelentes. É ideal para a gesto do poder e aplicações de comutaço.

Parmetros:

- Tenso de funcionamento: 20V
- Tenso da Dreno-fonte: 20V
- Tenso da Porta-fonte: ±20V
- Corrente contínua do dreno: 20A
- Dissipaço de poder: 140W
- Em-resistência da Dreno-fonte: 0.082Ohm
- Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
- Tipo do pacote: TO-220

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