Solução de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRF6217TRPBF para aplicações atuais altas

Number modelo:IRF6217TRPBF
Lugar de origem:Original
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Capacidade da fonte:999999
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Soluço de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET do IRF 6217 TRPBF para aplicações atuais altas

 

 

Parmetros:

• Pacote: TO-220
• Tipo do transistor: N-canal
• Vds – tenso de diviso da Dreno-fonte: 100V
• Identificaço – corrente contínua do dreno: 25A
• RDS – na resistência da Dreno-fonte: 0,02 ohms
• Vgs – tenso da Porta-fonte: ±20V
• Dissipaço de poder: 80W
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Polaridade: N-canal
• Montando o tipo: Através do furo

 

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Solução de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRF6217TRPBF para aplicações atuais altas

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