Solução de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IPW65R110CFD para o controle da automatização

Number modelo:IPW65R110CFD
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Soluço de capacidade elevadada eletrônicade poderdo MOSFET de IPW 65R110CFD para o controle da automatizaço

 

 

MOSFET do poder do N-canal de IPW65R110CFD

Descriço do produto:

O MOSFET do poder do N-canal de IPW65R110CFD é um dispositivo de alta velocidade, de pequenas perdas projetado para o uso nas aplicações da gesto do poder onde uma baixa em-resistência é desejada. Este MOSFET caracteriza um motorista integrado da porta, que forneça uma soluço de comutaço rápida e robusta. Com suas baixas capacidades de manipulaço atuais do RDS (sobre) e do alto-lado, o IPW65R110CFD é ideal para uma vasta gama de aplicações.

 

Características do produto:

• Interruptor de alta velocidade
• Baixa Em-resistência
• Motorista integrado da porta
• Capacidade de manipulaço atual do Alto-lado
• RoHS complacente

 

Especificações de produto:

• Tenso da Dreno-fonte (VDS): 30V
• Tenso da Porta-fonte (VGS): ±20V
• Corrente contínua do dreno (identificaço): 110A
• Em-resistência da Dreno-fonte (RDS (sobre)): 0.0065Ω
• Pacote: TO-252 (D-PAK)
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C

 

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