SI5855CDC-T1-E3: Eletrônica de poder Alto-atual do MOSFET para o desempenho seguro

Lista do produto:

Nome do produto: SI5855CDC-T1-E3
Tipo de produto: MOSFET
Configuraço: Único
Drene tenso da fonte (Vdss): 55V
Porta tenso da fonte (Vgss): ±20V
Corrente contínua do dreno (identificaço): 4A
Dissipaço de poder máxima (paládio): 1.5W
RDS (sobre): 0.05Ω
Harmonizaço do RDS (sobre): 2mΩ
Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
Temperatura de junço máxima (Tj): °C 175

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