O MOSFET do poder superior de LND150K1-G avançou FETs das aplicações da eletrônica de poder

LND 150K1- o MOSFET do poder superior de G avançou FETs das aplicações da eletrônica de poder

MOSFET do poder de LND150K1-G

Descriço do produto:

O MOSFET do poder de LND150K1-G é um dispositivo de capacidade elevada projetado fornecer o desempenho de comutaço superior e a baixa resistência do em-estado. É projetado cumprir as exigências de aplicações do poder superior tais como conversores de DC-DC, controladores do motor e sistemas de gesto do poder. O dispositivo caracteriza uma tenso do baixo-ponto inicial que permita uma eficiência mais alta nestas aplicações. Igualmente caracteriza uma baixa carga da porta, uma baixa capacidade da porta-fonte, e um diodo integrado da rápido-recuperaço para a confiança melhorada.

Parmetros do produto:

• Tenso da Dreno-fonte: 600V
• Tenso da Porta-fonte: ± 20V
• Drene atual: 150A
• Resistência do Em-estado: 0.0025Ω
• Tenso do ponto inicial: 2.5V
• Dissipaço de poder: 350W
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C

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