Alta velocidade do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de DN3545N3-G que liga baixo a resistência

DN3545 N3- alta velocidade do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de G que liga baixo a resistência

Descriço do produto:

A eletrônica de poder do MOSFET de DN3545N3-G dos diodos Incorporated é uma escolha perfeita para aplicações de comutaço do poder do alto-lado. Este dispositivo inclui um motorista integrado da porta, assim como um diodo interno do corpo para a proteço atual reversa. Apoia uma baixa tenso da porta--fonte com uma em-resistência muito baixa de 3.5mΩ, fazendo a ideal para as aplicações que exigem o interruptor eficiente do poder.

Parmetros do produto:

• Pacote: DPAK

• Tenso máxima da fonte do dreno: 35V
• Tenso de fonte de porta máxima: ±20V
• Corrente máxima do dreno: 45A
• Drene a fonte na resistência: 3.5mΩ
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C

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