Solução do interruptor do elevado desempenho da eletrônica de poder SC-75 do MOSFET de NTA7002NT1G

Number modelo:NTA7002NT1G
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NTA 7002 NT1 soluço do interruptor do elevado desempenho da eletrônica de poder SC-75 do MOSFET deG

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
7Ohm @ 154mA, 4.5V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 100µA
Vgs (máximo)
±10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
20 PF @ 5 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
300mW (Tj)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SC-75, SOT-416
Pacote/caso

 

 

 

1. O NTA7002NT1G é um MOSFET do P-canal no semicondutor. É um dispositivo de poder abrigado em um pacote SC-75 com uma dissipaço de poder máxima de 2W. Este MOSFET tem uma baixa em-resistência de 4.5Ohms e uma tenso de diviso de -20V. É uma escolha ideal para o vário interruptor e aplicações lineares, assim como para a gesto do poder e a proteço da bateria.

 

 

2. O MOSFET de NTA7002NT1G é construído para as aplicações de capacidade elevada que exigem a baixa em-resistência e uma avaliaço atual alta. Igualmente tem um processo avançado da fabricaço que assegure a baixa carga da porta, a baixa capacidade da entrada e a baixa capacidade de saída. Isto faz apropriado para aplicações de comutaço de alta velocidade.

 

 

3. O MOSFET de NTA7002NT1G caracteriza um de capacidade elevada, o projeto da baixa potência que é apropriado para uma vasta gama de aplicações. Este MOSFET pode segurar até 2A da corrente contínua, e sua baixa em-resistência assegura uma gota da baixa tenso, perda de poder da diminuiço. Este MOSFET é igualmente RoHS complacente e UL certificado, fazendo lhe uma escolha segura para o múltiplo

 

 

 

 

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