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Eletrônica de poderdo MOSFET de FDV 303N
Aplicações da eletrônica de poder da durabilidade do elevado desempenho TO-236-3
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1.5V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 2,3 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±8V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 50 PF @ 10 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 350mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-23-3 | |
Pacote/caso |
O FDV303N é um transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal (MOSFET) abrigou em um pacote TO-236-3. Fornece o desempenho excelente para aplicações de comutaço do poder na maioria de conversores de DC-DC, em controlo do motor e em outros circuitos de comutaço de alta frequência.
O FDV303N tem uma baixa resistência do em-estado (Rdson) de 0.15Ω e uma baixa carga da porta de 3.4nC para o interruptor rápido. Igualmente caracteriza uma alta tenso do funcionamento de 30V, uma baixa tenso do ponto inicial de 2.8V, uma corrente contínua do dreno de 10A, e uma corrente pulsada do dreno de 35A.
O FDV303N é RoHS complacente e é projetado cumprir as exigências de UL 746C e de EN 60335-1. Igualmente tem uma variaço da temperatura de funcionamento de -55°C a 150°C e é capaz de suportar correntes de impulso altas. O FDV303N é projetado fornecer o desempenho e a confiança superiores nas aplicações de exigência.
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