Aplicações do elevado desempenho do transistor do pacote da eletrônica de poder TO-236-3 do MOSFET de NTR5198NLT1G

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NTR 5198 NÃO MENOS de 1 eletrônica de poder do MOSFET deG

Aplicações do elevado desempenho do transistor do pacote TO-236-3

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
155mOhm @ 1A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
2,8 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
182 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote/caso

 

 

 

 

 

Este NTR 5198 NÃO MENOS de 1 eletrônica de poder do MOSFET deG é uns 3- pacote do pino TO-236-3. Oferece a eficiência elevada e a baixa em-resistência ao operar-se em uma baixa tensão. É apropriado para aplicações tais como interruptores de alimentação, motoristas do motor e motoristas do solenoide. Este dispositivo tem uma alta tensão da divisão de 30V, que forneça um de mais alto nível da proteção para o sistema. Igualmente tem uma carga aperfeiçoada da porta para a perda reduzida da condução e o desempenho de comutação melhorado. O dispositivo é um MOSFET do N-canal aperfeiçoado para aplicações de comutação da baixa tensão. É RoHS complacente e é oferecido em um pacote sem chumbo. Este dispositivo é ideal para o interruptor de alta frequência e pode operar em frequências até 10megahertz.

 

 

 

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