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NTMFS 5C460NO MENOS de 1 eletrônica de poder do MOSFET deG
ponto baixo da eficiência de poder superior 8-PowerTDFN em fontes do modo do interruptor da resistência
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 4.5mOhm @ 35A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1300 PF @ 20 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 3.6W (Ta), 50W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Pacote/caso |
O NTMFS5C460NLT1G é um dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do N-canal fabricado perto no semicondutor. É projetado fornecer soluções atuais altas da gesto do interruptor e do poder em uma vasta gama de aplicações. O dispositivo é abrigado em um pacote 8-PowerTDFN, que ofereça um perfil baixo e seja ideal para aplicações espaço-forçadas. Sua tecnologia de processamento avançada oferece rapidamente a comutaço e a baixa em-resistência para uma eficiência mais alta, perdas de poder reduzidas e o desempenho do sistema total melhorado.
O NTMFS5C460NLT1G caracteriza um diodo interno da proteço do ESD, que forneça a proteço contra a descarga eletrostática (ESD) e melhore a confiança do dispositivo. Suas configuraço da fonte comum e baixa tenso do ponto inicial para fazê-la apropriada para a comutaço, o nível deslocando e para sinalizar aplicações do acondicionamento.
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