FDMS86101 MOSFET Eletrônica de Potência Dispositivo Semicondutor Altamente Confiável de Alto Desempenho Tecnologia de Pacote Avançado
Number modelo:FDMS86101
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Shenzhen China
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
FDEM86101MSOFETPoderEletrônicos
Tecnologia avançada de pacote de dispositivos semicondutores altamente confiáveis de alto desempenho
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Status do produto
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Ativo
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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8mOhm @ 13A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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3000 pF @ 50 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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8-PQFN (5x6)
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Pacote / Estojo
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OFDEM86101éaN-CanalPoderMSOFETprojetadoparausaremaltopodercomutaçãoformulários.Istoéconstruídousandoomais recentePoderMSOFETprocessotecnologia,fornecendobaixosobre-estadoresistência,altocomutaçãovelocidadeealtotemperaturaoperativocapacidade.OFDEM86101éalojadoemabaixoperfilpacote,fazendoistoaadequadoescolhaparaespaçoconstrangidoformulários.OMSOFETcaracterísticasbaixoentradacapacitance,fazendoistoadequadoparaaltofrequênciacomutaçãoformulários.Comisso éásperoconstruçãoebaixoportãocobrar,oFDEM86101éumidealescolhaparaformuláriostalcomoaltopoderDC-DCconvertertermos,altopoderbateriaoperadosistemas,ealtopodermotorao controlesistemas.
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FDMS86101 MOSFET Eletrônica de Potência Dispositivo Semicondutor Altamente Confiável de Alto Desempenho Tecnologia de Pacote Avançado
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