Desempenho ótimo dos recursos avançados de alta qualidade da eletrônica de poder do MOSFET de FDMC86520L

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Desempenho ótimo dos recursos avançados de alta qualidade da eletrônica de poder do MOSFET de FDMC86520L

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
7.9mOhm @ 13.5A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
4550 PF @ 30 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-MLP (3.3x3.3)
Pacote/caso

 

 

 

 

O FDMC86520L é um dispositivo eletrónico do poder do MOSFET do N-canal do elevado desempenho projetado fornecer a confiança máxima e a eficiência em uma vasta gama de aplicações. Este dispositivo caracteriza uma estrutura de baixa voltagem avançada da trincheira e uma baixa resistência do em-estado para aumentar a dissipaço da eficiência e de poder. Suas baixa carga da porta e baixa tenso do ponto inicial para fazê-la ideal para aplicações de alta frequência.

 

 

O dispositivo está disponível em um pacote pequeno do fatora de formulários, fazendo o ideal para aplicações espaço-forçadas. É igualmente RoHS-complacente e caracteriza uma avaliaço de alta temperatura para a confiança aumentada. Este dispositivo é apropriado para o uso em uma variedade de aplicações, incluindo fontes de alimentaço de comutaço, os conversores de grande eficacia de DC-DC, e o controlo do motor.

 

 

 

 

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