P-canal do módulo de eletrônica do poder do MOSFET de NTMS4177PR2G 8-SOIC 30 V A 11,4
Number modelo:NTMS4177PR2G
Lugar de origem:Original
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
Endereço:
1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
NTMS 4177 EMPARELHA 2G 8- o P-canal 30 V do módulo de eletrônica do poder do MOSFET de SOIC A 11,4
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 12mOhm @ 11.4A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 3100 PF @ 24 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 840mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC | |
Pacote/caso |
Lista do produto:
Na eletrônica de poder do MOSFET do N-canal do semicondutor NTMS4177PR2G
Parmetros do produto:
• Pacote: 8-SOIC
• Tenso da Dreno-fonte: 40V
• Drene atual: 34A
• RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs: 4,1 mOhm @ 34A, 10V
• Carga da porta (Qg) @ Vgs: 15.9nC @ 10V
• Poder – máximo: 5.6W
• Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montando o tipo: Montagem de superfície
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• SKL é um depositário conservado em estoque e uma empresa de comércio de componentes eletrônicos. Nosso escritório de ramos inclui China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negócio, serviço, resourcing e informaço da oferta para nosso membro global.
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