SOT-223 P-canal de alta qualidade -10 A da eletrônica de poder do MOSFET do pacote NVF6P02T3G -20 V
Number modelo:NVF6P02T3G
Lugar de origem:Original
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Capacidade da fonte:999999
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
SOT-223 P-canal de alta qualidade -10 da eletrônicade poderdo MOSFETdo pacote NVF 6P02T3G uns -20 V
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 50mOhm @ 6A, 4.5V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 20 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±8V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1200 PF @ 16 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 8.3W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-223 (TO-261) | |
Pacote/caso |
Descriço do produto:
No semicondutor NVF6P02T3G é um dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do N-canal. Este dispositivo é projetado operar-se de um ponto inicial da porta 6V, e caracteriza uma baixa em-resistência de 2.3mΩ em uma tenso da dreno-fonte 10V. O pacote é SOT-223.
Características do produto:
• MOSFET do N-canal
• ponto inicial da porta 6V
• Baixa em-resistência de 2.3mΩ na tenso da dreno-fonte 10V
• Pacote: SOT-223
• Fabricante: No semicondutor
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• SKL é um depositário conservado em estoque e uma empresa de comércio de componentes eletrônicos. Nosso escritório de ramos inclui China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negócio, serviço, resourcing e informaço da oferta para nosso membro global.
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