Transistor eletrônico de potência NTHD3101FT1G 8-SMD MOSFET para aplicações de comutação de alta frequência
Number modelo:NTHD3101FT1G
Lugar de origem:Original
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
Endereço:
1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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NºD3101FT1G8-SMDMSOFETPoderEletrônicostransistorparaAlto-FfrequênciaTrocaringFormulários
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8 V, 4,5 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3,2A, 4,5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1,5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7,4 nC @ 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 10 V | |
Recurso FET | Diodo Schottky (isolado) | |
Dissipaço de energia (máx.) | 1,1 W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | ChipFET™ | |
Pacote / Estojo |
Lista de produtos:
Nome do produto: NTHD3101FT1G MOSFET Power Electronics
Fabricante: Onsemi
Pacote: 8-SMD
Parmetros:
•VDSS: -30V
•RDS(ligado): 0,006Ω
•ID: -30A
•Qg: 9nC
•Capacitncia de entrada (Ciss): 327pF
•Capacitncia de Saída (Coss): 35pF
•Frequência de transiço (pés): 8 GHz
• Corrente de Drenagem Pulsada (IDM): -60A
• Tenso Limite (VGS(th)): -2,3V
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• A SKL é uma empresa de estoque e comércio de componentes eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore, Canadá.Ofereça negócios, serviços, recursos e informações para nosso membro global.
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Transistor eletrônico de potência NTHD3101FT1G 8-SMD MOSFET para aplicações de comutação de alta frequência
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