Pacote duplo do transistor de efeito de campo 20V do modo do realce do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de NVTR0202PLT1G 2A TO-236-3

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Eletrônica de poder do MOSFET de NVTR0202PLT1G
Pacote duplo do transistor de efeito de campo 20V do modo do realce do N-canal 2A TO-236-3

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
800mOhm @ 200mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
2,18 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
70 PF @ 5 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
225mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote/caso

 

 

 

O NVTR 0202 PLT 1G é um transistor vertical do efeito de campo do modo do realce do P-canal (VFET), que seja projetado especificamente para aplicações de alta frequência, de baixa voltagem. Este dispositivo é construído usando um processo altamente confiável do MOSFET, que forneça a baixa resistência do em-estado e o desempenho de comutação excelente. O dispositivo é abrigado em um pacote TO-236-3 e fornece uma escala de baixa voltagem da operação de -0,2 V a de -20 V e de uma baixa tensão do ponto inicial da porta-fonte de -0,5 V. É ideal para circuitos de comutação de alta frequência e fornece a capacidade de manipulação atual alta. O dispositivo igualmente oferece a eficiência de poder superior, o baixo IEM, e a dissipação de poder mínima.

 

 

 

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Pacote duplo do transistor de efeito de campo 20V do modo do realce do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de NVTR0202PLT1G 2A TO-236-3

 

 

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