FDD86381-F085 MOSFET Power Electronics TO-252-3 Transistor de comutação Aplicações de alta corrente e alta tensão

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FDD86381-F085MOSFET Eletrônica de Potência
TO-252-3 Transistor de comutaço Aplicações de alta corrente e alta tenso

Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
866 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
48,4W (Tj)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo

O FDD86381-F085 é um Power MOSFET avançado da Infineon Technologies.Este dispositivo é um dispositivo de pacote TO-252-3 de alta tenso, baixa resistência e alta corrente de 3 pinos.É ideal para uso em aplicações de gerenciamento e converso de energia, como conversores DC-DC, ou nos setores automotivo e industrial.


Este dispositivo possui um diodo SiC Schottky integrado, que ajuda a reduzir as perdas de comutaço e aumentar a eficiência do sistema.O FDD86381-F085 foi projetado para incorporar os últimos avanços em tecnologia de dispositivos semicondutores para fornecer uma soluço robusta, confiável e econômica para muitas aplicações.Este produto oferece recursos de alta tenso e corrente, baixa resistência e tempos de comutaço rápidos, tornando-o uma escolha adequada para muitas aplicações.


O dispositivo é qualificado pela AEC-Q101, tornando-o adequado para aplicações automotivas.Também é compatível com RoHS e certificado pela UL, tornando-o seguro para uso em uma ampla gama de aplicações.O FDD86381-F085 é um dispositivo versátil e de alto desempenho adequado para uma ampla gama de aplicações.


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