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Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 866 pF @ 40 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 48,4W (Tj) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
Pacote / Estojo |
O FDD86381-F085 é um Power MOSFET avançado da Infineon Technologies.Este dispositivo é um dispositivo de pacote TO-252-3 de alta tenso, baixa resistência e alta corrente de 3 pinos.É ideal para uso em aplicações de gerenciamento e converso de energia, como conversores DC-DC, ou nos setores automotivo e industrial.
Este dispositivo possui um diodo SiC Schottky integrado, que ajuda a reduzir as perdas de comutaço e aumentar a eficiência do sistema.O FDD86381-F085 foi projetado para incorporar os últimos avanços em tecnologia de dispositivos semicondutores para fornecer uma soluço robusta, confiável e econômica para muitas aplicações.Este produto oferece recursos de alta tenso e corrente, baixa resistência e tempos de comutaço rápidos, tornando-o uma escolha adequada para muitas aplicações.
O dispositivo é qualificado pela AEC-Q101, tornando-o adequado para aplicações automotivas.Também é compatível com RoHS e certificado pela UL, tornando-o seguro para uso em uma ampla gama de aplicações.O FDD86381-F085 é um dispositivo versátil e de alto desempenho adequado para uma ampla gama de aplicações.
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