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Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2,1mOhm @ 30A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45,2 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3071 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 3,1 W (Ta), 64 W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Pacote / Estojo |
O NTMFS4C03NT1G é um MOSFET PowerTDFN 8-Pin Package N-Channel 20V (DS) da ON Semiconductor.Ele é projetado para aplicações de baixa tenso que requerem comutaço de alta velocidade e baixa resistência.Este dispositivo apresenta baixa carga de gate e baixa resistência no estado da fonte de dreno.É ideal para aplicações como conversores DC-DC, sistemas alimentados por bateria e outras aplicações de comutaço.
O NTMFS4C03NT1G é um MOSFET de nível lógico que fornece desempenho de comutaço superior em aplicações de baixa tenso.Ele oferece um baixo RDS(on) de 0,0085Ω e uma capacitncia de entrada de 13,4pF.Este dispositivo é compatível com RoHS e também é especificado para operaço em uma faixa de temperatura estendida de -55°C a +150°C.
O NTMFS4C03NT1G é uma soluço ideal para conversores CC para CC, sistemas alimentados por bateria e outras aplicações de comutaço que requerem baixa tenso e comutaço rápida.Ele apresenta uma baixa carga de porta, baixa resistência no estado da fonte de dreno e é compatível com RoHS.Este dispositivo é especificado para operaço em uma faixa de temperatura estendida de -55°C a +150°C.
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