NTMFS4C03NT1G MOSFET Power Electronics 4A Ultra Low On Resistance Gate Charge AECQ101 Qualified Single N-Channel

Number modelo:NTMFS4C03NT1G
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NTMFS4C03NT1G MOSFET Eletrônica de Potência
4A Ultra Low On Resistance Gate Charge AECQ101 Qualificado Single N-Channel

Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2,1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
45,2 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3071 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
3,1 W (Ta), 64 W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / Estojo

O NTMFS4C03NT1G é um MOSFET PowerTDFN 8-Pin Package N-Channel 20V (DS) da ON Semiconductor.Ele é projetado para aplicações de baixa tenso que requerem comutaço de alta velocidade e baixa resistência.Este dispositivo apresenta baixa carga de gate e baixa resistência no estado da fonte de dreno.É ideal para aplicações como conversores DC-DC, sistemas alimentados por bateria e outras aplicações de comutaço.


O NTMFS4C03NT1G é um MOSFET de nível lógico que fornece desempenho de comutaço superior em aplicações de baixa tenso.Ele oferece um baixo RDS(on) de 0,0085Ω e uma capacitncia de entrada de 13,4pF.Este dispositivo é compatível com RoHS e também é especificado para operaço em uma faixa de temperatura estendida de -55°C a +150°C.


O NTMFS4C03NT1G é uma soluço ideal para conversores CC para CC, sistemas alimentados por bateria e outras aplicações de comutaço que requerem baixa tenso e comutaço rápida.Ele apresenta uma baixa carga de porta, baixa resistência no estado da fonte de dreno e é compatível com RoHS.Este dispositivo é especificado para operaço em uma faixa de temperatura estendida de -55°C a +150°C.


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