NTMFS5C404NLT1G MOSFET Eletrônica de Potência 8-PowerTDFN Tensão Canal N MOSFETs de Potência
Number modelo:NTMFS5C404NLT1G
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Detalhes do produto
NTMFS5C404NLT1GMSOFETPoderEletrônicos8-PoderTDFNMOSFETs de potência de canal N de tensão
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Tipo FET
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido Metálico)
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Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
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Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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0,75mOhm @ 50A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2V @ 250µA
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Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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181 nC @ 10 V
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Vgs (Máx.)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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12168 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (máx.)
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3,2W (Ta), 167W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Pacote / Estojo
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ONMTFS5C404NLT1GéumavançadopoderMSOFETdeSOBRESemicondutor.Istoéabaixo-ºreter,solteiroN-canalAprimoramento-modoMSOFETalojadoemum8-alfinetePoderTDFNpacote.EsseMSOFETtemamáximoralofontetensãode40V,amáximoraloatualde8A,eamáximoralo-fontesobre-resdistânciade4mΩ.
Istoéprojetadoparaoperarnoamáximojunçãotemperaturade150°Cepodeentregaraltoeficiênciapodergerenciamentoemalargofaixadeformulários,IncluindoDC/DCconvertertermos,podersuprimentos,dadoscomuta,emotorao controle.Adicionalmente,essedispositivocaracterísticasbaixoportãocobrarebaixoentradaesaídacapacitance,fazendoistoidealparausaremalto-frequênciacomutaçãoformulários.
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