N-Channel MOSFET Power Electronics - FDMS8025S com eficiência superior e tecnologia de confiabilidade 30 V 24A (Ta)

Number modelo:FDMS8025S
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Shenzhen China
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N-Channel MOSFET Power Electronics - FDMS8025S com eficiência superior e tecnologia de confiabilidade 30 V 24A (Ta)

Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2,8mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo

Lista de produtos:

FDMS8025S N-Channel Enhancement Mode MOSFET


Fabricante: ON Semiconductor

Parmetros:

• Tenso da Fonte de Dreno: -20V

• Corrente de Drenagem Contínua: -25A

• RDS (ligado): -25 mOhm

• Dissipaço de energia: -60W

• Temperatura de operaço: -55°C a +150°C

• Embalagem: -TO-263


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