Eletrônica de poder do MOSFET do N-canal de FDMS8023S para as aplicações de comutação 30V 49A da eficiência elevada
Number modelo:FDMS8023S
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Eletrônica de poder do MOSFET do N-canal de FDMS8023S para as
aplicações de comutaço 30V 49A da eficiência elevada
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 2.4mOhm @ 26A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 1mA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 3550 PF @ 15 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.5W (Ta), 59W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
Pacote/caso |
Lista do produto:
Nome do produto: No MOSFET do poder do N-canal do semicondutor FDMS8023S
Descriço: O FDMS8023S é um MOSFET do poder do N-canal no semicondutor. É projetado fornecer a baixa resistência do em-estado e a velocidade de comutaço rápida, e inclui um diodo integrado da proteço da porta.
Características:
- Baixa resistência do Em-estado
- Velocidade de comutaço rápida
- Inclui um diodo integrado da proteço da porta
Especificações:
- Avaliaço da tenso: 30V
- Avaliaço atual: 30A
- Dissipaço de poder: 4.1W
- Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
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