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Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 5.9mOhm @ 23A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 120µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2040 PF @ 40 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.7W (Ta), 100W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
Pacote/caso |
Lista do produto:
Produto: Na eletrônica de poder do MOSFET do semicondutor NTTFS5D9N08HTWG
Parmetros:
• Tenso da Dreno-fonte (Vdss): 60 V
• Tenso da Porta-fonte (Vgs): ±20 V
• Corrente contínua do dreno (identificaço): 8,5 A
• Corrente pulsada do dreno (Idm): 17 A
• Em-resistência (RDS): 0,09 ohms
• Tempo de elevaço (tr): 5 ns
• Tempo de queda (tf): 10 ns
• Temperatura de junço máxima (Tj): °C 175
• Temperatura de funcionamento: -55 °C ao °C 175
• Pacote/caso: TO-252-3, DPAK
• Montando o tipo: Montagem de superfície
• Número de pinos: 3
• Tipo: No semicondutor
• Tipo do transistor: N-canal do MOSFET, óxido de metal
• Polaridade do transistor: N-canal
• Dissipaço de poder (paládio): W 12,5