Interruptor de alta qualidade do poder superior da eficiência elevada da eletrônica de poder do MOSFET de NTTFS5D9N08HTWG para aplicações industriais

Number modelo:NTTFS5D9N08HTWG
Lugar de origem:Original
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Capacidade da fonte:999999
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Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
Interruptor de alta qualidadedo poder superiorda eficiência elevadada eletrônicade poderdo MOSFET de NTTFS 5D9N08HTWG para o único N-canal 80 V das aplicações industriais, 5,9 m, 84 A
 
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
5.9mOhm @ 23A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 120µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
2040 PF @ 40 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
2.7W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-PQFN (3.3x3.3)
Pacote/caso

 

 

Lista do produto:

Produto: Na eletrônica de poder do MOSFET do semicondutor NTTFS5D9N08HTWG

Parmetros:


• Tenso da Dreno-fonte (Vdss): 60 V
• Tenso da Porta-fonte (Vgs): ±20 V
• Corrente contínua do dreno (identificaço): 8,5 A
• Corrente pulsada do dreno (Idm): 17 A
• Em-resistência (RDS): 0,09 ohms
• Tempo de elevaço (tr): 5 ns
• Tempo de queda (tf): 10 ns
• Temperatura de junço máxima (Tj): °C 175
• Temperatura de funcionamento: -55 °C ao °C 175
• Pacote/caso: TO-252-3, DPAK
• Montando o tipo: Montagem de superfície
• Número de pinos: 3
• Tipo: No semicondutor
• Tipo do transistor: N-canal do MOSFET, óxido de metal
• Polaridade do transistor: N-canal
• Dissipaço de poder (paládio): W 12,5

 

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Interruptor de alta qualidade do poder superior da eficiência elevada da eletrônica de poder do MOSFET de NTTFS5D9N08HTWG para aplicações industriais

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