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Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1.4V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | nC 1,15 @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 21 PF @ 5 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 690mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Pacote/caso |
O NTR 4003 NT1G é um MOSFET do poder do modo do realce do P-canal com um pacote TO-236-3. É projetado minimizar a resistência do em-estado e fornecer o desempenho de comutaço superior.
O dispositivo tem uma tenso de funcionamento da dreno-fonte de -20 V e uma corrente contínua do dreno de -3 A. É apropriado para o uso na baixa tenso, inversores de alta frequência, livra a roda, e as aplicações da proteço da polaridade. O dispositivo é igualmente RoHS complacente e halogênio livre. O NTR 4003 NT1G é garantido para fornecer a operaço segura sobre uma variaço da temperatura larga do °C -55 +a150°C.
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