Dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do modo do realce do N-canal do semicondutor FDBL86066-F085 de Fairchild
Number modelo:FDBL86066-F085
Lugar de origem:Original
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
Endereço:
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
Semicondutor FDBL 86066 de Fairchild - dispositivoda eletrônica de poder do MOSFET do modo do realce do N-canal de F085
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 3240 PF @ 50 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 300W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-HPSOF | |
Pacote/caso |
Lista do produto:
Nome do produto: FDBL86066-F085
Fabricante: No semicondutor
Tipo de produto: Eletrônica de poder do MOSFET
Max Continuous Drain Current: 8.5A
Max Drain Source Voltage: 60V
RDS (máximo) @ na identificaço: 2.2mOhm @ 10A
Pacote/caso: 8-DFLA
Montando o tipo: Através do furo
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Dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do modo do realce do N-canal do semicondutor FDBL86066-F085 de Fairchild
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