Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT – elevado desempenho que comuta a baixa Em-resistência e a operação de alta temperatura

Number modelo:FDPF18N20FT
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT – elevado desempenho que comuta a baixa Em-resistência e a operaço de alta temperatura
 
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
140mOhm @ 9A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1180 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-220F-3
Pacote/caso

 

 

Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT no semicondutor

Descriço do produto:

O FDPF18N20FT é um de alta velocidade, MOSFET do poder no semicondutor. É projetado fornecer o desempenho excelente em uma vasta gama de aplicações, incluindo a converso de alta frequência do interruptor e de poder. O dispositivo caracteriza uma estrutura integrada do MOSFET de PowerTrench e uma tecnologia de empacotamento avançada.

Características:

• Baixa em-resistência
• Interruptor de alta velocidade
• Desempenho térmico excelente
• Proteço robusta do ESD
• Pb-livre e RoHS complacentes

Especificações:

• Tenso da Dreno-fonte: 20V
• Em-resistência da Dreno-fonte: 0.39Ω
• Carga da porta: 17nC
• Tenso de interrupço da Dreno-fonte: 0.35V
• Tenso da Porta-fonte: 5.5V
• Corrente máxima do dreno: 25A
• Dissipaço de poder máxima: 200W
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C

 

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