Circuitos de bateria especificados V do P-canal POWERTRENCH 2,5 do pacote SOT-23-6 da eletrônica de poder do MOSFET de FDC608PZ
Number modelo:FDC608PZ
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Eletrônica de poder do MOSFET de FDC608PZ
Circuitos de bateria especificados V do P-canal POWERTRENCH 2,5 do
pacote SOT-23-6
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 30mOhm @ 5.8A, 4.5V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1.5V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 23 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±12V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1330 PF @ 10 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 1.6W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SuperSOT™-6 | |
Pacote/caso |
Descriço
Isto P−Channel que 2,5 V especificaram o MOSFET é produzido usando
o processo avançado do POWERTRENCH dos onsemi que foi
costurou especialmente para minimizar a resistência do on−state no
entanto para manter a baixa carga da porta para o desempenho de
comutaço superior. Estes
os dispositivos so bem - serido para aplicações da bateria:
interruptor da carga e gesto do poder, circuitos de bateria, e
dc−dc
conversões.
Características
• – 5,8 A, – 20 V. RDS (SOBRE) = 30 m @ VGS = – 4,5 V
RDS (SOBRE) = 43 m @ VGS = – 2,5 V
• Baixa carga da porta
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente
- o baixo RDS (SOBRE)
• SuperSOT TM – pacote 6: Pegada pequena (72% menor do que
) Perfil baixo SO-8 padro (1 milímetro grosso)
• Estes dispositivos so Pb−Free e alogenuro livres
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