Bateria de alargamento da eficiência do P-canal da eletrônica de poder do MOSFET de NTGS3455T1G
Number modelo:NTGS3455T1G
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Capacidade da fonte:999999
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Bateria de alargamento da eficiência do ElectronicsP-canal do poder do MOSFET de NTGS3455T1G
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 100mOhm @ 3.5A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 480 PF @ 5 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 500mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 6-TSOP | |
Pacote/caso |
Características
• RDS ultra baixo (sobre)
• Vida da bateria de alargamento da eficiência mais alta
• Pacote de superfície diminuto da montagem TSOP−6
• O pacote de Pb−Free está disponível
Aplicações
• Gesto do poder em produtos portáteis e de Battery−Powered, isto
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Telefones celulares e sem corda, e cartões de PCMCIA
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Bateria de alargamento da eficiência do P-canal da eletrônica de poder do MOSFET de NTGS3455T1G
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