A avalancha da força 1,05 Ω da energia da eletrônica de poder PackageTO-261-4 do MOSFET de FQT5P10TF testou

Características

• -1,0 A, -100 V, RDS (sobre) =1.05 Ω (máximo) @VGS=-10 V, ID=-0.5 A

• Baixa carga da porta (tipo. 6,3 nC)

• Baixo Crss (tipo. 18 PF)

• A avalancha 100% testou

descriço:

Este mosfet do poder do modo do realce do p-canal é produzido usando a tecnologia planar proprietária da listra e dos dmos dos semiconductor® de Fairchild. esta tecnologia avançada do mosfet foi costurada especialmente para reduzir a resistência do em-estado, e para fornecer o desempenho de comutaço superior e a força alta da energia da avalancha. estes dispositivos so apropriados para fontes de alimentaço comutadas do modo, o amplificador audio, o controlo do motor da C.C., e a aplicaço de comutaço variável do poder

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